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SOI單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
SOI單片集成 6 比特光延時芯片
〖簡介Introduction〗
梓冠光電的SOI單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。
〖特性Features〗
n 高速切換
High speed switching
n 高延時精度
High delay accuracy
n 超小尺寸
Ultra-small size
n 超寬帶工作
Ultra-broadband operation
n 全固態波導芯片可靠性強
〖應用Applications〗
n 光控相控陣雷達系統、電子對抗系統
性能指標 Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數 Delay bits | / | 6 | 可定制 Can be customized |
最小延時步進 Min.step-delay | ps | 59.2 | 可定制 Can be customized |
可調節最大延時量 Adjustable max.delay | ps | 3729.6 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 22×10×0.7 |
四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月，位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發、設計、生產及銷售；是一家擁有自主研發能力及規模性量產能力的光通信高新技術企業。
梓冠光電自成立以來，持續投入研發，吸納通信行業技術人才，其中博士占比人數5.7%，本科占比人數22.8%。公司產品日漸鄒于多元化，不僅擁有行業水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備（OXC）等產品，公司還為激光雷達系統、量子通訊系統、激光聚變成像傳輸系統等提供核心的高精端光器件，其中光纖延遲器、光開關、光衰減器系列為核心技術的量產產品，產品技術獲得多項認證，其中發明6項，外觀，軟著，實用性等共16項。
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