PHI VersaProbe III是的掃描 X射線單色化的 XPS設備，具有**的大面積和微區分析能力。其設計需求是為快速地，空間分辨分析固體表面的元素和化學態組成。PHI VersaProbe III 結合的掃描單色化 X 射線和自動化樣品控制以及分析區域識別系統，可在自動化環境下實現化學態成像和多點圖譜分析功能。

技術的聚焦掃描型X射線束用于樣品成像和分析，一個帶有多通道探測器的半球形能量分析器，一個高性能低能氬濺射離子*，一個和技術的電荷補償系統和一個大型五軸精密樣品臺。
為多種技術系統配置設計的。所有激發源法蘭可安裝和對準到一個共同的分析位置，掃描 X 射線單色器可與其他所選激發源結合以實現多種表面分析技術聯用的功能，而且帶有高真空樣品制備腔室和樣品傳送桿，VersaProbe III 可支持**的研究項目。
提供可選配的的 Ar 氣團簇離子束（GCIB）和 C60 濺射離子*用于有機和無機材料的表面清潔和薄膜深度剖析。
使用 X射線光電子能譜儀(XPS) 能夠詳細地分析元素和化學態，通常也被稱為電子能譜化學分析儀（ESCA）。其一系列的功能提供了的高性能 XPS 薄膜分析（深度剖析）能力。系統的設計可自動分析不同類型的樣品而無需更改儀器設置或參數設定。
基于一個超高真空分析腔室以保護樣品不受污染，可以對材料表面、 薄膜結構和表面污染進行清晰準確的元素和化學態表征。
分析腔室由480 l/s 差分離子泵和鈦升華泵 (TSP)抽真空。而系統的預抽氣、 進樣腔室抽氣和對濺射離子*的差分抽氣均由 67 l/s 的分子渦輪泵完成。由于該系統固有的真空清潔度，對于分析所有類型的樣品，碳氫化合物和其他污染都被降低到*小水平。
PHI VersaProbe III 的系統控制和數據處理都是通過一臺**PC完成，其基于Windows ® 操作系統和安裝了**軟件。

性能特點

的X射線源

PHI VersaProbe III 是由的高通量的X 射線源產生聚焦單色化的X射線束，可以在樣品表面掃描。
的SXI ™掃描 X 射線成像

PHI VersaProbe III 可對樣品表面采集 X射線激發的二次電子像，類似于掃描電鏡采集的二次電子像。可用SXI 圖像選取分析領域，以保證采集到的圖譜即是所感興趣的圖像區域。通常1 到 5 秒即可采集一張SXI 圖像。
名副其實的 X 射線光電子能譜

高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能**的 XPS 分析能力包括 XPS全譜掃描、面分布、深度剖析、線掃描和角分辨分析。
高性能，低能量氬氣離子*

在高能量或低能量的離子作用下，氬氣離子*可對樣品表面進行清潔，以及進行 XPS 化學深度剖析。這個的功能使其可進行單分子層深度分辨率的濺射深度剖析。
與聚焦X射線束相應，這種離子*在濺射時可對樣品進行小范圍區域濺射，與傳統的XPS系統相比可提高濺射速率。
的電荷中和/補償能力

PHI VersaProbe III 配有一套的PHI 技術的雙束電荷中和/補償系統，其利用冷陰極電子流和氬離子濺射*產生的極低能離子可以對所有類型的樣品進行荷電中和。
完備靈活的五軸樣品臺

五軸軟件驅動的樣品臺可提供一個穩定的具有高度準確性和重復性的分析平臺。X 和 Y ± 25mm的移動范圍可探測到水平 50mm的樣品表面而無需旋轉。
常中心旋轉的功能用于定位微區樣品特征以進行離子刻蝕和分析。
20mm的 Z 軸移動范圍使樣品操作靈活。
0o 到 90o 的傾斜軸范圍可實現角分辨XPS 測量（帶有型號 279HCA 的樣品裝載）。
提供多種樣品放置類型：

型號 190HC – 2 個：直徑25.4 mm (1 inch.)，不銹鋼樣品托可放置直徑達25.4 mm的樣品。
型號 191HC – 2 個：直徑25.4 mm (1 inch)，不銹鋼樣品托，有凹槽適宜放置粉狀或塊狀樣品。凹槽大小為 10 x 20 x 5 mm （0.4 x 0.8 x 0.2 inches）。
冷/熱樣品臺選項

根據研發的需要，PHI VersaProbe III多功能的技術平臺可選項配備：

10keV的C60離子*
雙陽極，非單色X射線源
紫外線光源
95毫米的樣品處理
熱/冷樣品處理
可選的AES電子*
真空轉移平臺 (Vacuum Transfer Vessel)

應用領域

Micro-Electronics 微電子, 電子封裝
Polymer 高份子材料
Tribology 摩擦學
Magnetic 磁性材料, 硬盤, 藍光光盤
Display Industries 顯示工業
Graphene 石墨稀
Catalysis 催化劑
Energy related 能源產業
Glass 玻璃
Metal 金屬
Ceramic 陶瓷
Semi-conductors 半導體
Bio-Medical 生醫科學