TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件。IMPATT雪崩二極管是一種高功率半導體二極管，通常用于高頻微波器件，頻率覆蓋幾GHz到幾百GHz。具有負電阻的IMPATT二極管自然可以用作高頻信號生成中的振蕩器。與其他微波二極管相比，IMPATT二極管的主要優勢在于其相對較高的功率容量，緊湊小巧的外形封裝。

TeraSense-太赫茲源-太赫茲發生器-100GHz 產品描述：

TeraSense-太赫茲源-太赫茲發生器-100GHz （IMPATT二極管）以過渡區為0.6 um的硅雙漂移二極管為代表，安裝在銅散熱器上。雙漂移二極管中的層是：重摻雜（p +）區，中摻雜（p +）區，中摻雜n區和重摻雜（n +）區。 （p +）和（n +）區域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生并維持振蕩。 Terasense現在正在提供其太赫茲源的升級版本。升級后的IMPATT二極管配有保護隔離器，可顯著提高輸出功率的穩定性。用戶可以訂購帶有開放式WR法蘭或可拆卸喇叭天線的IMPATT二極管。在100 GHz處優化頻率的太赫茲源的典型輸出rfpower可以達到2 W。此外，TeraSense信號源符合人體工程學設計，簡單易用，還可提供帶有衰減器和開關部分的太赫茲發生器。

TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件。IMPATT雪崩二極管是一種高功率半導體二極管，通常用于高頻微波器件，頻率覆蓋幾GHz到幾百GHz。具有負電阻的IMPATT二極管自然可以用作高頻信號生成中的振蕩器。與其他微波二極管相比，IMPATT二極管的主要優勢在于其相對較高的功率容量，緊湊小巧的外形封裝。IMPATT二極管具有非常窄的工作頻率帶寬，所以二極管內部尺寸必須根據相應的頻率來設計。此外，與其他類型的微波負阻二極管相比，基于IMPATT的發生器可以實現更高的輸出功率水平。IMPATT發生器也被證明是、經濟效益高的高頻和大功率電源之一，使用壽命長，運行穩定可靠。

產品亮點：

采用IMPATT和GaAs肖特基技術

輸出功率可達2 W

保護隔離器增強穩定性

TTL調制

計算機控制衰減

外形緊湊，成本低

應用范圍：

太赫茲安檢系統 l

制藥和化妝品無害無損檢測（NDT）

食品/農產品掃描及檢測

非金屬材料（塑料、陶瓷、木材等）無損檢測

汽車金屬材料，零件，輪胎損壞情況檢測

藝術品/文物無損檢測

疾病檢測，組織成像，血液檢測

光束輪廓分析系統

升級選項：

可拆卸喇叭天線

帶機械調諧的集成衰減器（旋鈕）

集成衰減器，具有計算機控制調諧功能

高頻調制選項(100MHz,1.5ns上升/下降時間)

頻率可選100GHz,140GHz,200GHz,300GHz,600GHz

技術參數：

頻率范圍：100GHz

技術：IMPATT

輸出射頻功率：80 mW/180 mW/400 mW/800mW

調制方式：TTL調制（1us上升/下降時間）

輸出方式：圓錐形喇叭天線/法蘭式輸出

隔離器：保護隔離器

全新升級款：

頻率：95GHz

技術：IMPATT+放大器

輸出射頻功率：0.8W/1.8W

線寬：1MHz

調制方式：TTL調制

計算機控制衰減

內部衰減器可選

外部調制器(可選項)：

基礎頻率：85-100GHz,140GHz

調制頻率：<200MHz

開關時間：<2 ns

插入損耗：<1.5 dB

微波及太赫茲天線(可選項)：

頻率范圍：100GHz,140GHz,200GHz,300GHz

增益：25dB

外部衰減器(可選項)

衰減：5dB,10dB,20dB