傳統光刻技術是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學性質，進而得到相應的納米圖形。Obducat納米壓印儀EITRE® 3技術卻可以不使用電子和光子，直接利用物理機理機械地在光刻膠上構造納米尺寸圖形。目前NIL技術已經可以制作線寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術優勢，NIL可應用于微電子器件、信息存儲器件、微反應器、微/納機電系統、傳感器、微/納流控器件、生物醫用界面、光學及光子學材料等眾多領域。

Obducat公司成立于1989年，總部位于瑞典隆德，旋涂分公司位于德國拉多爾夫采爾。2000年，Obducat成為將納米壓印技術商業化的公司，擁有大的NIL安裝基地。公司擁有SPT軟壓、STU紫外及熱同時壓印和IPS(TM)中間聚合物模版等技術。作為納米壓印設備提供商，不斷為公司和科研院校提供可行、低成本、高效益的納米壓印生產及科研的全套解決方案。在發展和生產下一代的電子消費產品如：相機CMOS傳感器、各種硬盤、存儲介質、高亮度LED、平板顯示器和下一代藍光光盤等方面推波助瀾。

Obducat納米壓印儀EITRE® 3

納米壓印技術NIL(NanoImprint Lithography technology）類似于古代的印章，是一項圖形轉移和復制技術。1995年，普林斯頓大學納米結構實驗室Stephen Y.Chou教授通過機械力在涂有高分子材料的硅基板上等比例壓印復制了模版上的納米圖案，其加工分辨率只與模版圖案尺寸有關，而不受光刻短曝光波長的物理限制，由此引出納米壓印技術。

納米壓印示意圖

納米壓印流程圖

    傳統光刻技術是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學性質，進而得到相應的納米圖形。NIL技術卻可以不使用電子和光子，直接利用物理機理機械地在光刻膠上構造納米尺寸圖形。目前NIL技術已經可以制作線寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術優勢，NIL可應用于微電子器件、信息存儲器件、微反應器、微/納機電系統、傳感器、微/納流控器件、生物醫用界面、光學及光子學材料等眾多領域。

納米壓印技術的應用領域

Obducat納米壓印儀EITRE® 3

The EITRE® Nano Imprint Lithography (NIL) Systems offer a manual and affordable lithography solution, allowing pattern replication in the micro- and nanometer range. The embedded SoftPress® technology ensures excellent residual layer thickness control across the entire imprint area, enabling an accurate pattern transfer.

FULL AREA IMPRINT

SOFTPRESS® TECHNOLOGY

USER-FRIENDLY INTERFACE

MULTIPLE IMPRINT PROCESS CAPABILITY

WIDE RANGE OF CONFIGURATION POSSIBILITIES

SUB-20NM RESIDUAL LAYER THICKNESS