SiC / GaN相關(guān)晶圓表面檢測(cè)設(shè)備。
雙頭SiC表面粒子掃描儀

新開(kāi)發(fā)的SiC表面顆粒掃描儀可防止未發(fā)現(xiàn)的SiC潛在劃痕。
采取措施，不漏掉傳統(tǒng)表面顆粒檢查設(shè)備無(wú)法檢測(cè)到的SiC表面潛伏期。
通過(guò)將雙傳感器安裝在可以檢查透明基板的YPI-MX上，可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)發(fā)現(xiàn)微小的劃痕缺陷。
通過(guò)在兩個(gè)正交軸上布置355 nm（UV）激光器和光接收傳感器，可以消除微小劃痕缺陷的方向依賴性，
并在不忽略SiC襯底的情況下檢測(cè)劃痕缺陷和潛在劃痕。
在5分鐘內(nèi)測(cè)量4英寸SiC晶片，包括等待時(shí)間檢測(cè)測(cè)量。

　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　設(shè)備中雙傳感器測(cè)量結(jié)果的圖像
 

　

不僅可以測(cè)量SiC，還可以測(cè)量透明玻璃晶片，硅晶片和LT晶片。
小檢測(cè)粒徑為0.1μm。

LT晶片測(cè)量結(jié)果示例

如果是4英寸LT晶片，則可以在大約2分鐘內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。

 

關(guān)于大功率激光控制

配備有YPI-MX-DC的大功率激光輸出通過(guò)我們的控制系統(tǒng)（自動(dòng)功率控制）控制
為恒定，從而可以實(shí)現(xiàn)更精確的異物檢測(cè)。

設(shè)備規(guī)格

掃描方式

激光側(cè)散射法，雙頭傳感器

工作安裝

手動(dòng)/自動(dòng)輸送機(jī)

能量消耗

AC100V / 200V 30A

小檢測(cè)粒徑

0.1微米

重現(xiàn)性

σ/ X≦10％

測(cè)量時(shí)間

2分鐘內(nèi)放入4英寸晶圓

待檢查的基材

SiC /各種透明玻璃基板/ Si晶片，LT晶片，具有
各種膜的晶片等

設(shè)備外形尺寸

W900mm x D1,000mm x H1,757mm（手動(dòng)）
W1,530mm x D1,200mm x H1,715mm（自動(dòng)傳送帶）

體重

約500公斤（手動(dòng)）/約1000公斤（自動(dòng)傳送帶）