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高分辨率二次離子質(zhì)譜NanoSIMS 50L

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳賽普思科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 深圳市
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間 2015/12/25 17:00:00
  • 訪問(wèn)次數(shù) 953

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1、專門針對(duì)同位素以及痕量元素的高空間分辨率的二次離子探針
2、具有*的橫向分辨率,痕量元素和同位素高靈敏度
- 高空間分辨率 (zui小到50 nm)
- 高靈敏度 (元素分布圖像ppm)
- 高質(zhì)量分辨率(M/dM)
- 快速數(shù)據(jù)接收(DC mode, 非脈沖模式)
- 可分析絕緣樣品
- 同位素分析精度可達(dá)千分之零點(diǎn)幾

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二次離子質(zhì)譜概述

 

  1. 一定能量的離子打到固體表面會(huì)引起表面原子、分子或原子團(tuán)的二次發(fā)射,即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主,其中有一部分帶有正、負(fù)電荷,這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜。根據(jù)濺射的二次離子信號(hào),可對(duì)被轟擊樣品的表面和內(nèi)部元素及分布特征進(jìn)行分析。
  2. 二次離子質(zhì)譜儀主要用于材料學(xué)(半導(dǎo)體、薄層、絕緣材料等)、地質(zhì)空間學(xué)、天體化學(xué)、環(huán)境微生物學(xué)和細(xì)胞學(xué)。
  3. 主要功能:

               質(zhì)譜分析-表面微區(qū)元素組成

               痕量元素深度剖析

               二次離子成像及顯微圖像分布(23D

               穩(wěn)定同位素豐度比

               放射性顆粒分析

               地質(zhì)定年

 

高分辨率二次離子質(zhì)譜NanoSIMS 50L

 

1、專門針對(duì)同位素以及痕量元素的高空間分辨率的二次離子探針

2、具有*的橫向分辨率,痕量元素和同位素高靈敏度

- 高空間分辨率 (zui小到50 nm

- 高靈敏度 (元素分布圖像ppm

- 高質(zhì)量分辨率(M/dM

- 快速數(shù)據(jù)接收(DC mode, 非脈沖模式)

- 可分析絕緣樣品

- 同位素分析精度可達(dá)千分之零點(diǎn)幾

3、可同時(shí)探測(cè)5-7種離子

4、探測(cè)器可選電子倍增器(成分圖像),也可選法拉第杯(高精度同位素豐度比測(cè)量)

 

高分辨率二次離子質(zhì)譜應(yīng)用領(lǐng)域

 

微生物學(xué)

The NanoSIMS 50L 開(kāi)啟了一條新路徑,能夠?qū)⑾到y(tǒng)進(jìn)化識(shí)別(phylogenetic identitywith FISH or El-FISH)與單細(xì)胞的新陳代謝功能結(jié)合起來(lái)(using stable isotope labeling) 以便研究環(huán)境對(duì)微生物群體的影響。

N. Musat, MPI Bremen, Germany.

 細(xì)胞生物學(xué)

因具有的50nm分辨率以及能夠測(cè)同位素比的能力,NanoSIMS 50L 能夠針對(duì)單個(gè)細(xì)胞,對(duì)那些做了同位素標(biāo)識(shí)的分子在這個(gè)個(gè)細(xì)胞內(nèi)部聚集和流動(dòng)情況進(jìn)行測(cè)量。

C. Lechene and D.P. Corey, Harvard Medical School & Brigham Women's Hospital, USA.

 地質(zhì)和空間科學(xué)

NanoSIMS 50L可以深入亞微米(sub-micron)區(qū)域,針對(duì)對(duì)來(lái)自于行星間的塵埃粒子、隕石以及礦物截面內(nèi)部的小粒子或夾雜,精確測(cè)定元素和同位素。在使用多個(gè)法拉第杯以及幾個(gè)微米大小束斑的配置下,所給出的同位素比的精度以及外部重復(fù)性均小到千分之零點(diǎn)幾。J. Moreau et al., SCIENCE.

 材料研究:

歸功于高質(zhì)量分辨率下的高靈敏度(沒(méi)有質(zhì)量干擾),NanoSIMS 50L 能夠以50nm的橫向分辨率對(duì)痕量元素(摻雜)做元素分布圖和定量測(cè)量,包括電絕緣材料。

H. Haneda, NIMS, Japan.


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