該P(yáng)ECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。可選用射頻（RF）、空陰*密度等離子體（HCD）源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。

該P(yáng)ECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)！
該PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。可選用射頻(RF)、空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。大沉積尺寸為8英寸。
等離子源：
5英寸或8英寸多噴頭平面中空陰離子源；
600瓦水冷；
Fractal monometer and carrier gas freed；
高密度等離子1013 ions/cc；
均勻性好，低污染；
應(yīng)用領(lǐng)域：
等離子誘導(dǎo)表面改性(Plasma Induced Surface Modifications)；
等離子清洗(NF3)；
等離子反應(yīng)離子蝕刻(Plasma Reactive Ion Etching)；
等離子聚合(Plasma Polymerization)；
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)；
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬質(zhì)薄膜

PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 5英寸或8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣，1載氣，1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
zui高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

計算機(jī)控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備；
射頻花灑噴頭及等離子源；
大可沉積8英寸直徑的薄膜；
RF偏置基底夾具；
水冷平板(water cooled platen)；
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過流量計控制流量；
分子渦輪泵；
基本真空度10-7 Torr；
空氣控制閥

主要特點(diǎn)：

可升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻(Reactive Ion Etching,RIE)雙功能系統(tǒng)；
5英寸或8英寸等離子源；
電拋光不銹鋼腔體；
熱臺(heated platen)；
帶有5英寸視窗的門(晶片裝載及取出)；
裝載鎖(load lock)；
高度調(diào)整平板；
腐蝕泵包(corrosive pump package)；
增加氣路，加熱氣路；
HMDS或加熱液體傳輸系統(tǒng)；
1kw射頻源；
脈沖直流電源；
蘭繆爾探針(Langmuir probe)