美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計，高電流低能量寬束型離子源，提供原子等級的細微加工能力， 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面，多種型號滿足科研及工業、半導體應用。
價格電議
美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計，高電流低能量寬束型離子源，提供原子等級的細微加工能力， 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面，多種型號滿足科研及工業、半導體應用。霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率，低能量減少離子轟擊損傷表面，寬束設計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區。整體易操作，易維護。霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源、電子中和器、電源供應器、流量控制器 (MFC)等等可以直接整合在各類真空設備中，例如鍍膜機，load lock、濺射系統、卷繞鍍膜機等。
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性：
無柵極
高電流低能量
發散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode/Neutralize 中和器
美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用：
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如：
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 技術參數：
型號 | eH200 | eH400 | eH1000 | eH1000xO2 | eH2000 | eH3000 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others | ||||||
Cathode/Neutralizer | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC HC HC | HC |
電壓 | 30-300V | 50-300V 30-150V | 50-300V 30-150V 50-300V | 100-300V | 50-300V 30-150V 50-250V | 50-250V 50-300V 50-250V |
電流 | 2A | 5A 10A | 10A 12A 5A | 10A | 10A 15A 15A | 20A 10A 15A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 1-15sccm | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 2.0“ | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直徑 | 2.5“ | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 無 | 可選 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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