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近年來，中國已成為帶動半導體市場增長的主要動力，隨著5G商用牌照落地并在2019年11月份正式使用，會大大推動半導體芯片產業的發展。失效分析對于提高半導體產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。針對半導體器件局部失效分析，可以借助XPS成像技術及微區分析進行表征，島津XPS配備自主技術的DLD二維陣列延遲線檢測器，可以同時記錄光電子的信號強度及其發射位置，亦可以在數秒的時間里獲取完整的XPS譜圖及高能量分辨的化學狀態圖像。小編帶您一起來看看XPS成像技術在半導體器件中的應用實例吧！
實例一：引腳跡斑分析
引腳是指從集成電路(芯片)內部電路引出與外圍電路的接線，構成了芯片的接口。隨著電子技術的發展，電路板上的器件引腳間距越來越小，器件排列更加密集，電場梯度更大，因此電路板對引腳的腐蝕也變得越來越敏感。如下為一故障銅引腳器件，在AXIS SUPRA儀器腔體顯微鏡下可看到有一處跡斑(直徑~150μm)，通過成像技術結合微區分析技術(見圖1)，可知在該區域額外出現了Cl元素，對比周圍區域測試結果，推測該元素的存在是造成腐蝕的主要原因，此外O元素峰強也有所增加，說明該區域氧化現象更為顯著。
圖1 平行成像及選區測試結果
實例二：“金手指”缺陷區域分析
“金手指”是指電腦硬件如內存條上與內存插槽、顯卡與顯卡插槽之間等進行電信號傳輸的介質，金手指涂敷工藝不良或由于使用時間過長導致其表面產成了氧化層，均會導致接觸不良，甚至造成器件報廢。如下采用XPS分析結合平行成像技術對“金手指”區域及缺陷處進行測試，不同視場成像結果見下圖2，亮度越高的區域表示Au元素含量越多。
圖2 不同視場下的“金手指”樣品成像結果
對缺陷部位及顯著存在Au元素部位分別進行小束斑選區分析，測試位置見下圖3，由測試得到的全譜結果可知，兩個區域均存在一定量的F元素；在圖像中較亮區域測得結果中，Au元素為主要存在元素，表面C、O元素較少，而缺陷部位測試結果中則只具有少量的Au 4f信號，而C、O、N元素峰較為顯著，推測該缺陷部位存在一定的有機物污染。
圖3 “金手指”樣品缺陷處微區分析結果
小 結
選用XPS成像技術對半導體器件微區的表面元素進行分析，可以清楚地了解各元素在器件表面的分布情況，結合污染元素組成及化學狀態進行有目的的原因排查，有助于對功能器件的質量控制和失效機制進行把控和解析，有效杜絕污染和器件失效發生，以達到不斷對產品工藝和技術進行優化的目的。
撰稿人：崔園園
島津/Kratos X射線光電子能譜儀AXIS SUPRA+
AXIS SUPRA+的自動化技術
● 無人值守自動進行樣品傳輸和交換
● 硬件自動化控制，實時監測譜儀狀態和校準
AXIS SUPRA+*的表面分析能力
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● 多種功能附件(惰性氣體傳輸器、高溫高壓催化反應池等)和可拓展多種表面分析技術，如紫外光電子能譜(UPS)，離子散射譜(ISS)，反射電子能量損失譜(REELS)，俄歇電子能譜和掃描俄歇電子顯微鏡(AES和SAM)等等
AXIS SUPRA+高效智能工作流程適合多用戶環境
● 高吞吐量、快速隊列樣品分析模式實現連續分析
● AXIS SUPRA+采用的通用表面分析ESCApe軟件系統使用戶與譜儀的交互簡單化和智能化，可以進行譜儀的控制、數據的采集和分析
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展會城市：廣州市展會時間：2025-03-05