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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于芯片去層

來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年01月04日 14:27

某芯片設(shè)計(jì)機(jī)構(gòu)研究部門(mén)采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于芯片去層.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

真空腔	1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源	? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
極限真空	≦1x10-4 Pa
刻蝕性能	一致性: ≤±5% across 4”

該 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：

離子源型號(hào)	離子源 KDC 75
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>250 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	7.5 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	20.1 cm
直徑	14 cm
中和器	燈絲

無(wú)論對(duì)于工藝設(shè)計(jì), 還是生產(chǎn)控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結(jié)構(gòu)（Passivation, Metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過(guò)層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續(xù)實(shí)驗(yàn), 清楚呈現(xiàn)出每一層電路布線(xiàn)結(jié)構(gòu).

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上海伯東 : 羅先生

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