半導體行業專用氮氣發生器(腔體保護氣，干泵吹掃氣)NITROGEN-M-100/200采用膜分離技術，無須二次凈化，即可連續獲得潔凈、干燥、無鄰苯二甲酸酯的氮氣，氮氣純度和流量穩定，使用壽命長。

半導體行業專用氮氣發生器(腔體保護氣，干泵吹掃氣)

NITROGEN-M-100/200

Peculiar針對LC/MS 氮氣流量、純度、壓力的特殊要求專門設計了安全、高效、方便的專用于

PECULIAR(UK)INSTRUMENT     TECHNOLOGY     LIMITED 英國普拉勒科技有限公司LC/MS 氮氣發生器，產生純度高達99.5%的潔凈、干燥氮氣，符合半導體行業腔體保護氣，干泵吹掃氣

要求，包含APCI及ESI接口。氮氣發生器采用膜分離技術，無須二次凈化，即可連續獲得潔凈、干

燥、無鄰苯二甲酸酯的氮氣，氮氣純度和流量穩定，使用壽命長。外置渦旋壓縮機提高了空氣供應

的安全性，流速范圍從0-100L/min, 可同時為一臺或多臺儀器供應氮氣。特殊機型可以定制，最

大流速范圍可以達到200 L/min。

主要技術參數 |

MAIN          TECHNICAL          PARAMETERS

◎流量：0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作環境：5C-40℃   濕度80%

◎使用海拔：2200m

◎露點：<-55℃

◎顆粒：<0.01μm

◎滯留液體：無

◎鄰苯二甲酸：無

◎噪聲：<47dB(A)

◎開機純化時間：30min

◎功率：8000W

◎電力要求：220V 50Hz