NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

 SRM 2842 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經過認證的 Al 摩爾分數 x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

操作、儲存和使用說明

貯存和搬運：

NIST SRM2842 半導體薄膜Alx鎵1-xAs外延層AlGaAs是一種穩定的化學化合物，但在儲存和搬運過程中，薄膜會受到表面污染和氧化。SRM應儲存在無塵氮氣氣氛或真空溫度低于50°C的環境中。空氣中的偶然污染在接觸超過數千小時后才能被發現會產生重大污染。SRM應由帶清潔非金屬纏繞器的金屬安裝盤處理，而不與半導體區域接觸。半導體表面的微粒污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染。用于將半導體安裝到不銹鋼圓盤上的附著帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，這些溶劑的使用可能導致附著或膠帶顆粒遷移到試樣表面。分析中應排除這些物質表面的邊緣。

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