觀察發光的光源在磁場的作用下，光源津發出的每條譜線皆被分裂成偏振化的分譜線，即塞曼效應；
測量其分裂后的譜線波長差，來求得電子的荷質比（e/m）的值。
由框架式純鐵制成，該電磁鐵磁場均勻穩定、360°旋轉，調整極為方便。可觀察（拍）9個明顯的塞曼分裂譜線。
標準具采用高精技術多層鍍膜；
通光口徑：40mm，灣波長:λ=5461?分辨率:λ/Δλ≥1×105，反射率: R≥

實驗內容：
觀察發光的光源在磁場的作用下，光源津發出的每條譜線皆被分裂成偏振化的分譜線，即塞曼效應；
測量其分裂后的譜線波長差，來求得電子的荷質比（e/m）的值。
技術參數：
由框架式純鐵制成，該電磁鐵磁場均勻穩定、360°旋轉，調整極為方便。可觀察(拍)9個明顯的塞曼分裂譜線。
標準具采用高精技術多層鍍膜；
通光口徑：40mm，灣波長:λ=5461?分辨率:λ/Δλ≥1×105，反射率: R≥90%，平面度：λ/30，石英隔圈2mm；
望遠系統：讀數精度0.01mm；
磁場感應強度：0-12000高斯；磁軛體積：250×140×200mm；
單路可調式直流穩壓穩流電源；
配彩色CCD系統及監視器；
標準具微動調整架：前后俯仰三維調節方便可調。